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西数推出环球首款96层3D UFS 2.1闪存:写入高达550MB/s
2018-10-10 17:48:51  来由:爱活网  作者:x91 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

9月份的iPhone XS在创下历史最高售价的同时,存储设置装备摆设也从客岁的256GB封顶一跃跳到了512GB,很快,2018年接上去这末了一两个月里行将要上场的新款手机们,这肯定会孕育发生一个风向标的作用:要是你再不跟上把手机的容量设置装备摆设给提一提,那很快就要被思量换机的用户给厌弃了。

西部推出环球首款96层3D UFS 2.1闪存:写入高达550MB/s

同时,5G商用又迫不及待,且不说那些席卷范畴越发遍及的边沿盘算、智能家居等设置装备摆设参加出去,光是我们手中的智能手机就会不行制止地迎来一波置换。

在多个风口配合吹动着我们掌中那几寸大的屏幕继承往进步化的配景下,西部数据拿出了一套新的办理方案,并挑选在本日环球首发与各行业媒体分享这一结果。

借助此前在这一代BiCS4闪存技能上的积聚,西部数据把本身的96层3D NAND颗粒产物化,做成了能用于智能手机、平板电脑以及条记本的终极嵌入式闪存

这一代产物的定名方法孕育发生了明显变革,新品名叫iNAND MC EU321(原先的iNAND 7550和iNAND 8521也适应这个方法改了名,型号酿成了EM131和EU311)。

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iNAND MC EU321的重要特性除接纳西数自产的96层3D TLC NAND颗粒之外,它还利用UFS 2.1接口,并且具有西数自主设计的iNAND SmartSLC 5.1缓存架构,容量范畴则在32GB到256GB有四个规格可选。

听西数在公布会现场的口风,以高通和联发科为代表的安卓生态圈好像很乐见这款存储产物进动手机市场。

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有上一代产物作为参照,iNAND MC EU321的功能目标仍旧在可观的数值地位上稳步提拔,以256GB规格为例,其次序读写本领辨别到达了800MB/s和550MB/s,随机拜访功能也可维持在40K~50K IOPs水准,在同类板载闪存盘产物里基本上可以算一骑绝尘。

西部数据对此感触十分自大,它表现本身产物的次序写入速率比竞品快出一倍以上。

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由此也看得出来,iNAND MC EU321的锋利之处重要照旧会合在iNAND SmartSLC 5.1缓存架构上,西数经过在TLC和内存数据操纵之间设置一个SLC buffer层,经过SLC的缓冲到达十分高的发作式拜访功能,数据缓存上去之后,经过西数在固件中写好的算法机制,闪存会主动对TLC的数据块举行整理,在淘汰碎片化的同时把SLC缓存里的数据写入到TLC里。

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由于手机使用并无太多必要连续写入数据的场所(那种时间网络传输每每是更大的瓶颈),这种思绪对付发作式拜访的相应功能和耽误都有利益,也便是说敌手机的团体利用体验会有比力明显的改进。

同时,由于有如许一个SLC缓存架构存在,西部数据的NAND闪存盘更不容易呈现那种固态存储比力容易呈现的满写功能急剧滑坡。根据他们的说法,友商的闪存每每在写满80%~90%的时间次序写入功能就会产生断崖式降落,乃至大概会比正常环境下降落凌驾一半多,而iNAND MC EU321则要到98%写满的时间才会呈现大约20%的功能消耗。

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随着5G、AI以及4K HDR在挪动设置装备摆设上的使用放开,存储子体系一些容易被纰漏的功能角落也开端被发明和弥补起来。手机厂商们更多的对特定的使用场景举行针对性优化(比方微信的利用,以及王者光彩等手机游戏帧率稳固性),西部数据也在做异样的事变,iNAND MC EU321便是针敌手机AI、xR用例的定点止痛剂。

将来西数还会以96层3D NAND作为驻足点,继承扩展EU321的衍生范例产物来笼罩汽车/主动驾驶、产业消费,以及智能家居范畴的嵌入式闪存产物。不外眼下最紧张的,固然照旧先把手机这块市场给做好了。

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